節(jié)能型功率半導體芯片生產(chǎn)線建設(shè)項目概覽

一、項目概況

‌建設(shè)單位‌：TCL環(huán)鑫半導體（天津）有限公司，投資金額3.98億元，在現(xiàn)有6英寸功率芯片年產(chǎn)90萬片產(chǎn)能基礎(chǔ)上，新增6英寸FRD、IGBT芯片年產(chǎn)35萬片產(chǎn)能‌23。

‌建設(shè)地點‌：天津濱海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號‌36。

‌技術(shù)方向‌：聚焦節(jié)能型功率半導體芯片，覆蓋FRD（快恢復二極管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等產(chǎn)品，適用于新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域‌36。

二、建設(shè)內(nèi)容與節(jié)能措施

‌產(chǎn)線升級‌：保留現(xiàn)有SBD、VDMOS、TMBS、FRD芯片產(chǎn)線，新增IGBT專用設(shè)備及工藝，優(yōu)化芯片能效比‌36。

‌節(jié)能設(shè)計‌：

選用高能效生產(chǎn)設(shè)備，優(yōu)化工藝流程，降低單位產(chǎn)品能耗至行業(yè)先進水平‌48；

建立能源管理體系，配備智能監(jiān)測系統(tǒng)，實現(xiàn)能耗動態(tài)管理‌48。閥門生產(chǎn)廠家